在9月24—26日舉行的上海PCIM Asia 2025電子展上，成都高新發(fā)展股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱高新發(fā)展）攜下屬公司森未科技、芯未半導(dǎo)體參展，向市場(chǎng)客戶全面展示了其在功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、特色制造工藝及應(yīng)用驗(yàn)證等方面的全鏈條技術(shù)能力。
森未科技高功率密度產(chǎn)品獲關(guān)注
作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，森未科技攜自主研發(fā)的高功率密度IGBT/SiC系列產(chǎn)品及解決方案亮相，充分展現(xiàn)了在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力。
此次參展的新產(chǎn)品具備高性能、低功耗與高可靠性等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于工控、光伏儲(chǔ)能、新能源汽車及特種電源等領(lǐng)域，為行業(yè)升級(jí)提供關(guān)鍵支撐。期間，憑借高電流密度、低開關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)，以及完整的產(chǎn)品系列，森未科技產(chǎn)品吸引了眾多海內(nèi)外客戶與專家駐足交流，技術(shù)團(tuán)隊(duì)則從技術(shù)演進(jìn)、產(chǎn)品特性、場(chǎng)景應(yīng)用到落地實(shí)施進(jìn)行了深入講解，為后續(xù)合作奠定良好基礎(chǔ)。
值得一提的是，在展會(huì)同期舉辦的國(guó)際研討會(huì)上，森未科技發(fā)表題為《Superjunction MOSFET with a Trench Contact and Embedded SiO2 Insulator for Excellent Reverse Recovery》（采用溝槽接觸和嵌入二氧化硅絕緣層的超結(jié)MOSFET具備卓越反向恢復(fù)特性）的研究報(bào)告。該研究報(bào)告創(chuàng)新性顯著、實(shí)用性強(qiáng)，引發(fā)現(xiàn)場(chǎng)熱烈討論。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)迭代，功率器件正朝著更高電壓、更高功率密度方向發(fā)展。而森未科技通過持續(xù)研發(fā)投入及與多家科研院所共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，不斷突破技術(shù)瓶頸，現(xiàn)已成功開發(fā)出電壓等級(jí)覆蓋650V-1700V、電流等級(jí)覆蓋10A-900A的IGBT/SiC系列產(chǎn)品百余款，展現(xiàn)出扎實(shí)的研發(fā)積累與產(chǎn)品化能力。未來，森未科技將緊跟趨勢(shì)，積極推進(jìn)第八代IGBT及SiC產(chǎn)品研發(fā)。
芯未半導(dǎo)體展示一站式代工與中試平臺(tái)實(shí)力
作為成都首個(gè)功率半導(dǎo)體代工平臺(tái)和規(guī)模最大的功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)，芯未半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了“晶圓背面加工—封裝測(cè)試—集成組件”的一站式解決方案，成為展會(huì)中國(guó)產(chǎn)代工力量的焦點(diǎn)。
展會(huì)期間，芯未半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過動(dòng)態(tài)實(shí)物演示，詳細(xì)講解了“從樣品到量產(chǎn)”的全流程服務(wù)，展現(xiàn)了其在縮短研發(fā)周期、降低試錯(cuò)成本方面的核心價(jià)值，特別是8英寸超薄IGBT晶圓背面加工平臺(tái)和高壓大功率模塊高可靠封裝制造平臺(tái)，吸引了眾多芯片設(shè)計(jì)企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)的廣泛關(guān)注。
未來，高新發(fā)展將繼續(xù)致力于功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代，突破關(guān)鍵核心技術(shù)，加速推進(jìn)具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)研發(fā)，以科技創(chuàng)新培育新質(zhì)生產(chǎn)力，為行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入持續(xù)動(dòng)力。